仕様

• シリーズ
  BIMOSFET™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Not For New Designs
• IGBTタイプ
  -
• 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
  3600 V
• 電流 - コレクタ (IC) (最大)
  70 A
• 電流 - コレクタパルス (icm)
  220 A
• vce(on) (最大) @ vge、ic
  3.4V @ 15V, 20A
• パワー - 最大
  430 W
• スイッチングエネルギー
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• 入力方式
  Standard
• ゲートチャージ
  110 nC
• td (オン/オフ) @ 25°c
  18ns/238ns
• 試験条件
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• 逆回復時間 (trr)
  1.7 µs
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• サプライヤーデバイスパッケージ
  TO-268