仕様

• シリーズ
  POWER MOS 8™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  N-Channel
• テクノロジー
  MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  600 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  84A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  10V
• rds オン (最大) @ id、vgs
  55mOhm @ 60A, 10V
• vgs(th) (最大) @ id
  5V @ 2.5mA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  598 nC @ 10 V
• vgs (最大)
  ±30V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  23994 pF @ 25 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  961W (Tc)
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Chassis Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ
  ISOTOP®
• パッケージ/ケース
  SOT-227-4, miniBLOC