A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

メーカー

NXP Semiconductors

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - RF

説明

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    GaN HEMT
  • 頻度
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • 16.1dB
  • 電圧 - テスト
    48 V
  • 定格電流 (アンペア)
    -
  • 雑音指数
    -
  • 電流 - テスト
    291 mA
  • 電力出力
    180W
  • 電圧 - 定格
    125 V
  • パッケージ/ケース
    NI-400S-2S
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    NI-400S-2S

A2G35S200-01SR3 引用を要求

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本体価格(参考価格):
264.51000
目標価格:
合計:264.51000

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