2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

メーカー

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

製品カテゴリ

トランジスタ - jfets

説明

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • 電圧 - 絶縁破壊 (v(br)gss)
    -
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    30 V
  • 電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • 消費電流 (id) - 最大
    10 mA
  • 電圧 - カットオフ (VGS オフ) @ ID
    180 mV @ 1 µA
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    4pF @ 10V
  • 抵抗 - rds(on)
    200 Ohms
  • パワー - 最大
    200 mW
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    3-CP

2SK3666-3-TB-E 引用を要求

在庫あり 22255
量:
本体価格(参考価格):
0.47000
目標価格:
合計:0.47000

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