RM2N650IP

RM2N650IP

メーカー

Rectron USA

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    650 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    2A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    2.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    3.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    -
  • vgs (最大)
    ±30V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    190 pF @ 50 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    23W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-251
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

RM2N650IP 引用を要求

在庫あり 34186
量:
本体価格(参考価格):
0.30000
目標価格:
合計:0.30000