BFR193WE6327

BFR193WE6327

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - rf

説明

HIGH LINEARITY TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    12V
  • 周波数 - 遷移
    8GHz
  • 雑音指数 (db typ @ f)
    1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • 10.5dB ~ 16dB
  • パワー - 最大
    580mW
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    70 @ 30mA, 8V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    80mA
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    SC-70, SOT-323
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-SOT323-3

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量:
本体価格(参考価格):
0.08000
目標価格:
合計:0.08000