BFR949L3E6327

BFR949L3E6327

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - rf

説明

RF BIPOLAR TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    10V
  • 周波数 - 遷移
    9GHz
  • 雑音指数 (db typ @ f)
    1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
  • 21.5dB
  • パワー - 最大
    250mW
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    100 @ 5mA, 6V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    50mA
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    SC-101, SOT-883
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TSLP-3-1

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本体価格(参考価格):
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目標価格:
合計:0.08000