BUK652R1-30C,127

BUK652R1-30C,127

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

PFET, 120A I(D), 30V, 0.0035OHM,

仕様

  • シリーズ
    TrenchMOS™
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    30 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    4.5V, 10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    2.4mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.8V @ 1mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    168 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±16V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    10.918 pF @ 25 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    263W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-220AB
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3

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在庫あり 21767
量:
本体価格(参考価格):
0.96000
目標価格:
合計:0.96000