仕様

• シリーズ
  NoBL™
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Active
• メモリの種類
  Volatile
• メモリフォーマット
  SRAM
• テクノロジー
  SRAM - Synchronous, SDR
• メモリー容量
  9Mb (512K x 18)
• メモリインターフェース
  Parallel
• クロック周波数
  166 MHz
• 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
  -
• アクセス時間
  3.5 ns
• 電圧 - 供給
  3.135V ~ 3.6V
• 動作温度
  -40°C ~ 85°C (TA)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  100-LQFP
• サプライヤーデバイスパッケージ
  100-TQFP (14x20)