DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - モジュール

説明

DFXR12P - IGBT MODULE

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 構成
    Three Phase Inverter
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1.2 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    300 A
  • パワー - 最大
    1.1 W
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    15 µA
  • 入力容量 (Cies) @ VCE
    12.5 nF @ 25 V
  • 入力
    Standard
  • NTCサーミスタ
    Yes
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C
  • 取付タイプ
    Chassis Mount
  • パッケージ/ケース
    Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    Module

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本体価格(参考価格):
166.67000
目標価格:
合計:166.67000

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