ECH8601M-TL-H

ECH8601M-TL-H

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

N-CHANNEL POWER MOSFET

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Obsolete
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • フェット機能
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    24V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    8A (Ta)
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    23mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (最大) @ id
    1.3V @ 1mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    -
  • パワー - 最大
    -
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SMD, Flat Lead
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-ECH

ECH8601M-TL-H 引用を要求

在庫あり 59642
量:
本体価格(参考価格):
0.17000
目標価格:
合計:0.17000

データシート