FCH190N65F-F155

FCH190N65F-F155

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

仕様

  • シリーズ
    FRFET®, SuperFET® II
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    650 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    20.6A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    190mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    5V @ 2mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    78 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    3.225 pF @ 100 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    208W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247 Long Leads
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3

FCH190N65F-F155 引用を要求

在庫あり 11475
量:
本体価格(参考価格):
1.89000
目標価格:
合計:1.89000

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