FDMD86100

FDMD86100

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    PowerTrench®
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • フェット機能
    Standard
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    100V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    10A
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    10.5mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    4V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    30nC @ 10V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    2060pF @ 50V
  • パワー - 最大
    2.2W
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-PowerWDFN
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-Power 5x6

FDMD86100 引用を要求

在庫あり 13297
量:
本体価格(参考価格):
1.62000
目標価格:
合計:1.62000

データシート