FGH50N3

FGH50N3

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    PT
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    300 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    75 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    240 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    1.4V @ 15V, 30A
  • パワー - 最大
    463 W
  • スイッチングエネルギー
    130µJ (on), 92µJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    180 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    20ns/135ns
  • 試験条件
    180V, 30A, 5Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    -
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247-3

FGH50N3 引用を要求

在庫あり 8892
量:
本体価格(参考価格):
6.32000
目標価格:
合計:6.32000

データシート