仕様

• シリーズ
  QFET®
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Obsolete
• フェットタイプ
  P-Channel
• テクノロジー
  MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  60 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  7A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  10V
• rds オン (最大) @ id、vgs
  410mOhm @ 3.5A, 10V
• vgs(th) (最大) @ id
  4V @ 250µA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  8.2 nC @ 10 V
• vgs (最大)
  ±25V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  295 pF @ 25 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  3.75W (Ta), 45W (Tc)
• 動作温度
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ
  D²PAK (TO-263AB)
• パッケージ/ケース
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB