HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - rf

説明

RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    3.5V
  • 周波数 - 遷移
    38GHz
  • 雑音指数 (db typ @ f)
    0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
  • 8dB ~ 19.5dB
  • パワー - 最大
    200mW
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    100 @ 5mA, 2V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    35mA
  • 動作温度
    -
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    4-SMD, Gull Wing
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    4-MFPAK

HSG1002VE-TL-E 引用を要求

在庫あり 34153
量:
本体価格(参考価格):
0.30000
目標価格:
合計:0.30000