HUF75852G3

HUF75852G3

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

仕様

  • シリーズ
    UltraFET™
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    150 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    75A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    16mOhm @ 75A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    4V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    480 nC @ 20 V
  • vgs (最大)
    ±20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    7.69 pF @ 25 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    500W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247-3
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3

HUF75852G3 引用を要求

在庫あり 9775
量:
本体価格(参考価格):
5.67000
目標価格:
合計:5.67000

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