IGP01N120H2

IGP01N120H2

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    -
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1200 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    3.2 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    3.5 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.8V @ 15V, 1A
  • パワー - 最大
    28 W
  • スイッチングエネルギー
    140µJ
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    8.6 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    13ns/370ns
  • 試験条件
    800V, 1A, 241Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    -
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO220-3

IGP01N120H2 引用を要求

在庫あり 37250
量:
本体価格(参考価格):
0.55000
目標価格:
合計:0.55000