IJW120R100T1FKSA1

IJW120R100T1FKSA1

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - jfets

説明

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Obsolete
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • 電圧 - 絶縁破壊 (v(br)gss)
    -
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    1.2 V
  • 電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0)
    1.5 µA @ 1.2 V
  • 消費電流 (id) - 最大
    26 A
  • 電圧 - カットオフ (VGS オフ) @ ID
    -
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    1550pF @ 19.5V (VGS)
  • 抵抗 - rds(on)
    100 mOhms
  • パワー - 最大
    190 W
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO247-3

IJW120R100T1FKSA1 引用を要求

在庫あり 3501
量:
本体価格(参考価格):
18.60000
目標価格:
合計:18.60000

データシート