仕様

• シリーズ
  HEXFET®
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  N and P-Channel
• フェット機能
  Logic Level Gate
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  20V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  5.2A, 4.3A
• rds オン (最大) @ id、vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (最大) @ id
  700mV @ 250µA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  660pF @ 15V
• パワー - 最大
  2W
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• サプライヤーデバイスパッケージ
  8-SO