IRF8915PBF

IRF8915PBF

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

HEXFET POWER MOSFET

仕様

  • シリーズ
    HEXFET®
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Obsolete
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Logic Level Gate
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    20V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    8.9A
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    18.3mOhm @ 8.9A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    7.4nC @ 4.5V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    540pF @ 10V
  • パワー - 最大
    2W
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-SO

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本体価格(参考価格):
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目標価格:
合計:0.20000