MC33151VDR2G

MC33151VDR2G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

pmic - ゲートドライバー

説明

BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • 駆動構成
    Low-Side
  • チャンネルタイプ
    Independent
  • ドライバーの数
    2
  • ゲートタイプ
    N-Channel MOSFET
  • 電圧 - 供給
    6.5V ~ 18V
  • ロジック電圧 - vil、vih
    0.8V, 2.6V
  • 電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
    1.5A, 1.5A
  • 入力方式
    Inverting
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
    -
  • 立ち上がり/立ち下がり時間 (標準)
    31ns, 32ns
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-SOIC

MC33151VDR2G 引用を要求

在庫あり 30704
量:
本体価格(参考価格):
0.67000
目標価格:
合計:0.67000

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