MJD112-1G

MJD112-1G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル

説明

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN - Darlington
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    2 A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    100 V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    3V @ 40mA, 4A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    20µA
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    1000 @ 2A, 3V
  • パワー - 最大
    1.75 W
  • 周波数 - 遷移
    25MHz
  • 動作温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    I-PAK

MJD112-1G 引用を要求

在庫あり 44370
量:
本体価格(参考価格):
0.23000
目標価格:
合計:0.23000

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