MJD200T4G

MJD200T4G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル

説明

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, 25

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    5 A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    25 V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    100nA (ICBO)
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    45 @ 2A, 1V
  • パワー - 最大
    1.4 W
  • 周波数 - 遷移
    65MHz
  • 動作温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    DPAK

MJD200T4G 引用を要求

在庫あり 56482
量:
本体価格(参考価格):
0.18000
目標価格:
合計:0.18000

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