MJD340TF

MJD340TF

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル

説明

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    500 mA
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    300 V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    -
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    100µA
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    30 @ 50mA, 10V
  • パワー - 最大
    1.56 W
  • 周波数 - 遷移
    -
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    D-Pak

MJD340TF 引用を要求

在庫あり 42590
量:
本体価格(参考価格):
0.24000
目標価格:
合計:0.24000

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