MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - rf

説明

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    25V
  • 周波数 - 遷移
    650MHz
  • 雑音指数 (db typ @ f)
    -
  • -
  • パワー - 最大
    225mW
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    60 @ 4mA, 10V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    -
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SOT-23-3 (TO-236)

MMBTH10LT3G 引用を要求

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本体価格(参考価格):
0.03000
目標価格:
合計:0.03000

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