NDD60N900U1-1G

NDD60N900U1-1G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Obsolete
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    600 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    5.7A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    900mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    4V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    12 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±25V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    360 pF @ 50 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    74W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    I-PAK
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD60N900U1-1G 引用を要求

在庫あり 34733
量:
本体価格(参考価格):
0.59000
目標価格:
合計:0.59000

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