NE5550779A-T1-A

NE5550779A-T1-A

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - RF

説明

RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Obsolete
  • トランジスタタイプ
    LDMOS
  • 頻度
    900MHz
  • 22dB
  • 電圧 - テスト
    7.5 V
  • 定格電流 (アンペア)
    2.1A
  • 雑音指数
    -
  • 電流 - テスト
    140 mA
  • 電力出力
    38.5dBm
  • 電圧 - 定格
    30 V
  • パッケージ/ケース
    4-SMD, Flat Leads
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    79A

NE5550779A-T1-A 引用を要求

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量:
本体価格(参考価格):
2.56000
目標価格:
合計:2.56000

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