NGTB30N120FL2WG

NGTB30N120FL2WG

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1.2 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    60 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    120 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.3V @ 15V, 30A
  • パワー - 最大
    452 W
  • スイッチングエネルギー
    2.6mJ (on), 700µJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    220 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    98ns/210ns
  • 試験条件
    600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    240 ns
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247

NGTB30N120FL2WG 引用を要求

在庫あり 7160
量:
本体価格(参考価格):
4.79000
目標価格:
合計:4.79000

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