NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    650 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    60 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    120 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.2V @ 15V, 30A
  • パワー - 最大
    300 W
  • スイッチングエネルギー
    200µJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    135 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    -/145ns
  • 試験条件
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    430 ns
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247-3

NGTB30N65IHL2WG 引用を要求

在庫あり 14160
量:
本体価格(参考価格):
2.27000
目標価格:
合計:2.27000

データシート