NSVMMBT589LT1G

NSVMMBT589LT1G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル

説明

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    PNP
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    1 A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    30 V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    650mV @ 200mA, 2A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    100nA
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    100 @ 500mA, 2V
  • パワー - 最大
    310 mW
  • 周波数 - 遷移
    100MHz
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SOT-23-3

NSVMMBT589LT1G 引用を要求

在庫あり 56365
量:
本体価格(参考価格):
0.18000
目標価格:
合計:0.18000

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