NSVMSD42WT1G

NSVMSD42WT1G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル

説明

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    150 mA
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    300 V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    500mV @ 2mA, 20mA
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    100nA (ICBO)
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    40 @ 30mA, 10V
  • パワー - 最大
    450 mW
  • 周波数 - 遷移
    -
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    SC-70, SOT-323
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SC-70-3 (SOT323)

NSVMSD42WT1G 引用を要求

在庫あり 125834
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本体価格(参考価格):
0.08000
目標価格:
合計:0.08000

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