NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス

説明

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    100mA
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    50V
  • 抵抗 - ベース (r1)
    10kOhms
  • 抵抗 - エミッタ ベース (r2)
    10kOhms
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    35 @ 5mA, 10V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    500nA
  • 周波数 - 遷移
    -
  • パワー - 最大
    250mW
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SC-88/SC70-6/SOT-363

NSVMUN5111DW1T3G 引用を要求

在庫あり 112071
量:
本体価格(参考価格):
0.09000
目標価格:
合計:0.09000

データシート