仕様

• シリーズ
  -
• パッケージ
  Tray
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  N-Channel
• テクノロジー
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  1200 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  400A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  -
• rds オン (最大) @ id、vgs
  -
• vgs(th) (最大) @ id
  5.6V @ 106.8mA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  -
• vgs (最大)
  +22V, -4V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  17000 pF @ 10 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  1570W (Tc)
• 動作温度
  175°C (TJ)
• 取付タイプ
  Chassis Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ
  Module
• パッケージ/ケース
  Module