RGW00TS65GC11

RGW00TS65GC11

メーカー

ROHM Semiconductor

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    650 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    96 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    200 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • パワー - 最大
    254 W
  • スイッチングエネルギー
    1.18mJ (on), 960µJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    141 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    52ns/180ns
  • 試験条件
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    -
  • 動作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247N

RGW00TS65GC11 引用を要求

在庫あり 10783
量:
本体価格(参考価格):
5.06000
目標価格:
合計:5.06000

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