仕様

• シリーズ
  -
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• 駆動構成
  Half-Bridge
• チャンネルタイプ
  Independent
• ドライバーの数
  2
• ゲートタイプ
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• 電圧 - 供給
  17V (Max)
• ロジック電圧 - vil、vih
  1.1V, 1.8V
• 電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
  400mA, 650mA
• 入力方式
  Inverting
• ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
  600 V
• 立ち上がり/立ち下がり時間 (標準)
  70ns, 40ns
• 動作温度
  -45°C ~ 125°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• サプライヤーデバイスパッケージ
  -