STGWA75H65DFB2

STGWA75H65DFB2

メーカー

STMicroelectronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7

仕様

  • シリーズ
    HB2
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    650 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    115 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    225 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2V @ 15V, 75A
  • パワー - 最大
    357 W
  • スイッチングエネルギー
    1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    207 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    28ns/100ns
  • 試験条件
    400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    88 ns
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247 Long Leads

STGWA75H65DFB2 引用を要求

在庫あり 7308
量:
本体価格(参考価格):
4.63000
目標価格:
合計:4.63000