STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

メーカー

STMicroelectronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    650 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    120 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    240 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2V @ 15V, 80A
  • パワー - 最大
    469 W
  • スイッチングエネルギー
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    414 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    84ns/280ns
  • 試験条件
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    85 ns
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3P

STGWT80H65DFB 引用を要求

在庫あり 8350
量:
本体価格(参考価格):
6.66000
目標価格:
合計:6.66000

データシート