STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2

メーカー

STMicroelectronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

仕様

  • シリーズ
    M
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    NPT, Trench Field Stop
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    650 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    160 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    360 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    1.95V @ 15V, 120A
  • パワー - 最大
    625 W
  • スイッチングエネルギー
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    420 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    66ns/185ns
  • 試験条件
    400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    202 ns
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3 Exposed Pad
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    MAX247™

STGYA120M65DF2 引用を要求

在庫あり 5157
量:
本体価格(参考価格):
11.69000
目標価格:
合計:11.69000

データシート