CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

メーカー

Texas Instruments

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

仕様

  • シリーズ
    NexFET™
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • フェット機能
    Logic Level Gate, 5V Drive
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    20V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    39A
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    12.4mOhm @ 10A, 8V
  • vgs(th) (最大) @ id
    1.4V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    15.2nC @ 4.5V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    2390pF @ 10V
  • パワー - 最大
    2.5W
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-PowerVDFN
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-VSON (3.3x3.3)

CSD85312Q3E 引用を要求

在庫あり 21150
量:
本体価格(参考価格):
0.99000
目標価格:
合計:0.99000