仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 電圧 - DC 逆方向 (vr) (最大)
    650 V
  • 電流 - 平均整流 (io)
    8A (DC)
  • 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if
    1.6 V @ 8 A
  • スピード
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 逆回復時間 (trr)
    0 ns
  • 電流 - 逆漏れ @ vr
    40 µA @ 650 V
  • 静電容量 @ vr, f
    28pF @ 650V, 1MHz
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-220-2
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-220-2L
  • 動作温度 - ジャンクション
    175°C (Max)

TRS8E65F,S1Q 引用を要求

在庫あり 8483
量:
本体価格(参考価格):
3.98000
目標価格:
合計:3.98000