仕様

• シリーズ
  -
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Obsolete
• フェットタイプ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• フェット機能
  GaNFET (Gallium Nitride)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  600V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  70A (Tc)
• rds オン (最大) @ id、vgs
  34mOhm @ 30A, 8V
• vgs(th) (最大) @ id
  -
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  28nC @ 8V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  2260pF @ 100V
• パワー - 最大
  470W
• 動作温度
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Through Hole
• パッケージ/ケース
  Module
• サプライヤーデバイスパッケージ
  Module