SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

仕様

  • シリーズ
    TrenchFET®
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Logic Level Gate
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    60V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    370mA
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    1.4Ohm @ 340mA, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    1.4nC @ 10V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    18.5pF @ 30V
  • パワー - 最大
    510mW
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SC-70-6 (SOT-363)

SI1926DL-T1-GE3 引用を要求

在庫あり 24082
量:
本体価格(参考価格):
0.43000
目標価格:
合計:0.43000

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