SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

仕様

  • シリーズ
    TrenchFET®
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Logic Level Gate
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    20V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    2A
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    125mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • vgs(th) (最大) @ id
    1.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    4nC @ 4.5V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    -
  • パワー - 最大
    830mW
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    6-TSOP

SI3900DV-T1-GE3 引用を要求

在庫あり 20525
量:
本体価格(参考価格):
1.02000
目標価格:
合計:1.02000

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