SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

仕様

  • シリーズ
    TrenchFET®
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 P-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Logic Level Gate
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    30V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    5.3A
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    25mOhm @ 7.1A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    3V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    50nC @ 10V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    -
  • パワー - 最大
    1.1W
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-SO

SI4925BDY-T1-GE3 引用を要求

在庫あり 25092
量:
本体価格(参考価格):
0.82500
目標価格:
合計:0.82500

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