SIHB125N60EF-GE3

SIHB125N60EF-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

仕様

  • シリーズ
    EF
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    600 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    25A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    125mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    5V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    47 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±30V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    1533 pF @ 100 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    179W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHB125N60EF-GE3 引用を要求

在庫あり 7391
量:
本体価格(参考価格):
4.61000
目標価格:
合計:4.61000