SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    650 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    7A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    600mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    4V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    48 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±30V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    820 pF @ 100 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    78W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    IPAK (TO-251)
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

SIHU6N65E-GE3 引用を要求

在庫あり 25449
量:
本体価格(参考価格):
0.81675
目標価格:
合計:0.81675

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