SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

仕様

  • シリーズ
    TrenchFET® Gen IV
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    80 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    7.5V, 10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    8.25mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    3.8V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    40 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    1666 pF @ 10 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • パッケージ/ケース
    PowerPAK® 1212-8S

SISS30DN-T1-GE3 引用を要求

在庫あり 17630
量:
本体価格(参考価格):
1.20000
目標価格:
合計:1.20000