SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

仕様

  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Standard
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    60V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    15A (Tc), 40A (Tc)
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    10nC @ 10V, 23nC @ 10V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
  • パワー - 最大
    27W (Tc), 48W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SQJ262EP-T1_GE3 引用を要求

在庫あり 17756
量:
本体価格(参考価格):
1.18000
目標価格:
合計:1.18000

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