仕様

• シリーズ
  C3M™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  N-Channel
• テクノロジー
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  1200 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  100A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  15V
• rds オン (最大) @ id、vgs
  28.8mOhm @ 50A, 15V
• vgs(th) (最大) @ id
  3.6V @ 17.7mA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  162 nC @ 15 V
• vgs (最大)
  +15V, -4V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  4818 pF @ 1000 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  469W (Tc)
• 動作温度
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ
  Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ
  TO-247-4L
• パッケージ/ケース
  TO-247-4